RS1DL RVG Taiwan Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 249+ | 2.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1DL RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RS1DL RVG за ціною від 6.72 грн до 34.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1DL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS1DL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 200V 0.8A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
RS1DL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
RS1DL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 150ns 0.8A 200V Fast Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |