Технічний опис RS1DL RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RS1DL RVG за ціною від 6.56 грн до 34.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1DL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RS1DL RVG | Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 200V 0.8A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 184 шт В кошику од. на суму грн. |
| RS1DL RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.02 грн |
| 14+ | 22.86 грн |
| 100+ | 11.55 грн |
| 500+ | 8.84 грн |
| 1000+ | 6.56 грн |
| RS1DL RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 0.8A 2-Pin Sub SMA T/R
Diode Switching 200V 0.8A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)