RS1E130GNTB Rohm Semiconductor
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 232+ | 52.71 грн |
| 299+ | 40.83 грн |
| 500+ | 27.57 грн |
| 1000+ | 26.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1E130GNTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RS1E130GNTB за ціною від 24.11 грн до 61.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RS1E130GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RS1E130GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RS1E130GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
RS1E130GNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET |
товару немає в наявності |