Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1E170GNTB
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS1E170GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.46 грн
10+37.15 грн
100+25.73 грн
500+20.18 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1E170GNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RS1E170GNTB за ціною від 14.97 грн до 47.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1E170GNTB RS1E170GNTB Виробник : ROHM Semiconductor rs1e170gntb_e-1873289.pdf MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.78 грн
10+42.03 грн
100+24.88 грн
500+20.84 грн
1000+17.76 грн
2500+16.07 грн
5000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E170GNTB RS1E170GNTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E170GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.