RS1E220ATTB1

RS1E220ATTB1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+86.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1E220ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RS1E220ATTB1 за ціною від 80.00 грн до 261.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1E220ATTB1 RS1E220ATTB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs HSOP8 P CHAN 30V
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.76 грн
10+156.98 грн
100+99.08 грн
500+82.20 грн
1000+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1 RS1E220ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.98 грн
10+164.67 грн
100+114.72 грн
500+87.64 грн
1000+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.