Інші пропозиції RS1E240GNTB за ціною від 19.05 грн до 73.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1E240GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS1E240GNTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 27W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: HSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS1E240GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1E240GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS1E240GNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1E240GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
на замовлення 10628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1E240GNTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RS1E240GNTB | Виробник : Rohm |
N-Channel NexFET™ Power MOSFET 40V 27A SON8 5x6mm Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |