RS1E260ATTB1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0025 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 130.41 грн |
| 500+ | 101.44 грн |
| 1000+ | 90.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1E260ATTB1 ROHM
Description: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0025 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RS1E260ATTB1 за ціною від 90.01 грн до 259.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1E260ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RS1E260ATTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -26.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) |
на замовлення 5037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RS1E260ATTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0025 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RS1E260ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |