Продукція > ROHM > RS1E301GNTB1
RS1E301GNTB1

RS1E301GNTB1 ROHM

rs1e301gntb1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.91 грн
500+61.86 грн
1000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1E301GNTB1 ROHM

Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS1E301GNTB1 за ціною від 53.60 грн до 172.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : ROHM rs1e301gntb1-e.pdf Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+143.70 грн
10+103.64 грн
100+82.91 грн
500+61.86 грн
1000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs1e301gntb1-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 30.1A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.54 грн
10+101.78 грн
100+73.44 грн
500+64.05 грн
1000+60.17 грн
2500+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1e301gntb1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1e301gntb1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1e301gntb1-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8
Case: HSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39.8nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 33W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.