Продукція > ROHM > RS1E301GNTB1
RS1E301GNTB1

RS1E301GNTB1 ROHM

rs1e301gntb1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.18 грн
500+57.71 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1E301GNTB1 ROHM

Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS1E301GNTB1 за ціною від 48.60 грн до 163.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : ROHM rs1e301gntb1-e.pdf Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.73 грн
10+117.19 грн
100+84.18 грн
500+57.71 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs1e301gntb1-e.pdf MOSFETs RS1E301GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.34 грн
10+117.60 грн
100+73.20 грн
500+59.96 грн
1000+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1e301gntb1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1e301gntb1-e.pdf RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1e301gntb1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.