Продукція > ROHM > RS1E301GNTB1
RS1E301GNTB1

RS1E301GNTB1 ROHM

rs1e301gntb1-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+82.96 грн
500+57.06 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1E301GNTB1 ROHM

Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS1E301GNTB1 за ціною від 49.84 грн до 195.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 ROHM rs1e301gntb1-e.pdf Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.33 грн
10+110.34 грн
100+82.96 грн
500+57.06 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E301GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.49 грн
100+80.66 грн
500+60.91 грн
1000+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RS1E301GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 30.1A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.71 грн
10+120.67 грн
100+75.25 грн
500+61.16 грн
1000+57.02 грн
2500+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 rs1e301gntb1-e.pdf
RS1E301GNTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+168.33 грн
10+110.34 грн
100+82.96 грн
500+57.06 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 datasheet?p=RS1E301GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E301GNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+188.72 грн
10+117.49 грн
100+80.66 грн
500+60.91 грн
1000+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 datasheet?p=RS1E301GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E301GNTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 30.1A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+195.71 грн
10+120.67 грн
100+75.25 грн
500+61.16 грн
1000+57.02 грн
2500+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.