на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.8 грн |
| 10+ | 104.76 грн |
| 100+ | 73.84 грн |
| 250+ | 68.05 грн |
| 500+ | 61.21 грн |
| 1000+ | 53.35 грн |
| 2500+ | 49.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1E350BNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 80A, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 35W, Case: HSOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 185nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції RS1E350BNTB за ціною від 60.93 грн до 137.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1E350BNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RS1E350BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 35W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 185nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
RS1E350BNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
товар відсутній |
|||||||||||||
| RS1E350BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 35W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 185nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |