на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.49 грн |
| 10+ | 101.29 грн |
| 25+ | 82.81 грн |
| 100+ | 67.07 грн |
| 250+ | 66.85 грн |
| 500+ | 56.76 грн |
| 1000+ | 51.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1E350BNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8, Mounting: SMD, On-state resistance: 2.5mΩ, Drain current: 80A, Power dissipation: 35W, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 140A, Case: HSOP8, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 185nC, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції RS1E350BNTB за ціною від 66.47 грн до 149.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1E350BNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RS1E350BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 80A Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 140A Case: HSOP8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 185nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
RS1E350BNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| RS1E350BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 80A Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 140A Case: HSOP8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 185nC |
товару немає в наявності |