RS1E350BNTB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 251.07 грн |
| 10+ | 162.15 грн |
| 100+ | 121.40 грн |
| 500+ | 98.84 грн |
| 1000+ | 94.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1E350BNTB1 Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-HSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RS1E350BNTB1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1E350BNTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 N-CH 30V 80A |
на замовлення 4431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RS1E350BNTB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N-CH 30V 80A
MOSFETs HSOP8 N-CH 30V 80A
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)