на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.34 грн |
| 10+ | 181.46 грн |
| 25+ | 148.98 грн |
| 100+ | 127.70 грн |
| 250+ | 120.36 грн |
| 500+ | 113.02 грн |
| 1000+ | 107.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1E350BNTB1 ROHM Semiconductor
Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RS1E350BNTB1 за ціною від 96.51 грн до 257.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1E350BNTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V |
на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS1E350BNTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |