Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1E350GNTB
RS1E350GNTB

RS1E350GNTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS1E350GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+90.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1E350GNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-HSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RS1E350GNTB за ціною від 85.65 грн до 199.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS1E350GNTB RS1E350GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E350GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.93 грн
10+159.69 грн
100+127.12 грн
500+100.95 грн
1000+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350GNTB RS1E350GNTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RS1E350GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET. Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350GNTB datasheet?p=RS1E350GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E350GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.93 грн
10+159.69 грн
100+127.12 грн
500+100.95 грн
1000+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350GNTB datasheet?p=RS1E350GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E350GNTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET. Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.