Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1G120MNTB
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB Rohm Semiconductor

rs1g120mntb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1G120MNTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS1G120MNTB за ціною від 14.96 грн до 58.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+31.26 грн
472+30.00 грн
500+28.92 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+43.03 грн
485+29.17 грн
609+23.24 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.89 грн
10+35.67 грн
100+23.10 грн
500+16.60 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB ROHM Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB ROHM rs1g120mntb-e.pdf Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 14240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB ROHM rs1g120mntb-e.pdf Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 14240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
RS1G120MNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
453+31.26 грн
472+30.00 грн
500+28.92 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
RS1G120MNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
329+43.03 грн
485+29.17 грн
609+23.24 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
RS1G120MNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.89 грн
10+35.67 грн
100+23.10 грн
500+16.60 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
RS1G120MNTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
RS1G120MNTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 14240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
RS1G120MNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
RS1G120MNTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 14240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.