RS1G120MNTB

RS1G120MNTB Rohm Semiconductor


rs1g120mntb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.80 грн
5000+13.95 грн
7500+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1G120MNTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0116 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS1G120MNTB за ціною від 11.46 грн до 65.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
541+22.56 грн
561+21.75 грн
1000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 541
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
541+22.56 грн
561+21.75 грн
1000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 541
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Виробник : ROHM rs1g120mntb-e.pdf Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0116 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.35 грн
500+17.55 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
440+27.76 грн
671+18.20 грн
675+18.10 грн
870+13.53 грн
2000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 440
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Виробник : ROHM rs1g120mntb-e.pdf Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0116 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.11 грн
23+36.56 грн
100+24.35 грн
500+17.55 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Виробник : ROHM Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.46 грн
10+40.02 грн
100+22.88 грн
500+17.58 грн
1000+16.04 грн
2500+12.29 грн
10000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 13059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+38.70 грн
100+25.04 грн
500+17.98 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g120mntb-e.pdf RS1G120MNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.