Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1G150MNTB
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB Rohm Semiconductor

rs1g150mntb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1G150MNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RS1G150MNTB за ціною від 25.75 грн до 76.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1G150MNTB RS1G150MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g150mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.93 грн
10+52.30 грн
100+40.70 грн
500+30.97 грн
1000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTB RS1G150MNTB Виробник : ROHM Semiconductor rs1g150mntb-e.pdf MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 4502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.88 грн
10+62.29 грн
100+42.05 грн
500+35.05 грн
1000+29.03 грн
2500+27.27 грн
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTB RS1G150MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g150mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g150mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin HSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g150mntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 43A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 13.3mΩ
Power dissipation: 25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.