Технічний опис RS1G180MNTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-HSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції RS1G180MNTB за ціною від 42.11 грн до 148.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1G180MNTB | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V |
на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RS1G180MNTB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 40V 18A |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RS1G180MNTB | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. |
| RS1G180MNTB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.68 грн |
| 10+ | 88.32 грн |
| 100+ | 59.84 грн |
| 500+ | 44.73 грн |
| 1000+ | 42.66 грн |
| RS1G180MNTB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 40V 18A
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 40V 18A
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.19 грн |
| 10+ | 93.68 грн |
| 100+ | 55.02 грн |
| 500+ | 43.84 грн |
| 1000+ | 42.11 грн |
| RS1G180MNTB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)