
RS1G180MNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 138.93 грн |
10+ | 76.07 грн |
100+ | 58.62 грн |
500+ | 46.54 грн |
1000+ | 44.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1G180MNTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V.
Інші пропозиції RS1G180MNTB за ціною від 41.69 грн до 177.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RS1G180MNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RS1G180MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RS1G180MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
RS1G180MNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8 Case: HSOP8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 57A On-state resistance: 9.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
RS1G180MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
RS1G180MNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8 Case: HSOP8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 57A On-state resistance: 9.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |