RS1G180MNTB

RS1G180MNTB Rohm Semiconductor


rs1g180mn-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.87 грн
10+77.13 грн
100+59.44 грн
500+47.19 грн
1000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1G180MNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RS1G180MNTB за ціною від 42.27 грн до 153.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1G180MNTB RS1G180MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g180mn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+145.60 грн
200+85.41 грн
500+66.70 грн
1000+64.00 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTB RS1G180MNTB Виробник : ROHM Semiconductor rs1g180mn-e.pdf MOSFETs Trans MOSFET N-CH 40V 18A
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.66 грн
10+89.85 грн
100+60.42 грн
500+50.30 грн
1000+45.84 грн
2500+43.16 грн
5000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTB RS1G180MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g180mn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g180mn-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTB RS1G180MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g180mn-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g180mn-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.