Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1G180MNTB
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB ROHM Semiconductor

rs1g180mn-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 40V 18A
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.93 грн
10+93.06 грн
100+59.74 грн
500+49.73 грн
1000+45.32 грн
2500+42.67 грн
5000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1G180MNTB ROHM Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RS1G180MNTB за ціною від 46.73 грн до 177.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1G180MNTB RS1G180MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g180mn-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.14 грн
10+100.47 грн
100+68.11 грн
500+50.91 грн
1000+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTB RS1G180MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g180mn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+177.93 грн
113+108.79 грн
121+101.27 грн
200+97.46 грн
500+75.99 грн
1000+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTB RS1G180MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g180mn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g180mn-e.pdf RS1G180MNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTB RS1G180MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g180mn-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.