RS1G201ATTB1

RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor


rs1g201attb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0042 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS1G201ATTB1 за ціною від 80.64 грн до 271.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Виробник : ROHM rs1g201attb1-e.pdf Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0042 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.32 грн
500+92.73 грн
1000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1g201attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+135.02 грн
100+128.99 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1g201attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+138.53 грн
92+133.25 грн
100+128.73 грн
250+120.37 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1g201attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+179.96 грн
74+166.75 грн
100+140.31 грн
200+127.46 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs1g201attb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 40V 78A P CHAN
на замовлення 8983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.56 грн
10+154.82 грн
100+107.41 грн
500+89.02 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Виробник : ROHM rs1g201attb1-e.pdf Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0042 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.19 грн
10+170.83 грн
100+121.32 грн
500+92.73 грн
1000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1g201attb1-e.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.37 грн
10+170.74 грн
100+119.13 грн
500+91.14 грн
1000+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g201attb1-e.pdf RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.