Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1G201ATTB1
RS1G201ATTB1

RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor

rs1g201attb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+156.86 грн
94+150.68 грн
100+142.66 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS1G201ATTB1 за ціною від 85.11 грн до 237.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1G201AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.12 грн
10+149.09 грн
100+104.06 грн
500+85.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RS1G201AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs HSOP8 P-CH 40V 20A
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 ROHM rs1g201attb1-e.pdf Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 ROHM rs1g201attb1-e.pdf Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 datasheet?p=RS1G201AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS1G201ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.12 грн
10+149.09 грн
100+104.06 грн
500+85.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 datasheet?p=RS1G201AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS1G201ATTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 P-CH 40V 20A
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 rs1g201attb1-e.pdf
RS1G201ATTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 rs1g201attb1-e.pdf
RS1G201ATTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.