Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1G201ATTB1
RS1G201ATTB1

RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS1G201AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.

Інші пропозиції RS1G201ATTB1 за ціною від 85.71 грн до 291.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor rs1g201attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.53 грн
100+160.21 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1G201AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+160.54 грн
50+123.85 грн
100+105.14 грн
500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor rs1g201attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.92 грн
10+207.02 грн
100+153.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor rs1g201attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+291.42 грн
69+207.38 грн
100+153.86 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 ROHM rs1g201attb1-e.pdf Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 ROHM rs1g201attb1-e.pdf Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 rs1g201attb1-e.pdf
RS1G201ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+229.53 грн
100+160.21 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 datasheet?p=RS1G201AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS1G201ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.74 грн
10+160.54 грн
50+123.85 грн
100+105.14 грн
500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 rs1g201attb1-e.pdf
RS1G201ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+290.92 грн
10+207.02 грн
100+153.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 rs1g201attb1-e.pdf
RS1G201ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+291.42 грн
69+207.38 грн
100+153.86 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 rs1g201attb1-e.pdf
RS1G201ATTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1 rs1g201attb1-e.pdf
RS1G201ATTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.