Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1G260MNTB
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB Rohm Semiconductor

rs1g260mntb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+72.16 грн
177+68.94 грн
250+66.17 грн
500+61.50 грн
1000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1G260MNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RS1G260MNTB за ціною від 54.05 грн до 212.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1G260MNTB RS1G260MNTB Виробник : ROHM Semiconductor rs1g260mntb-e.pdf MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.55 грн
10+115.14 грн
100+72.49 грн
500+63.61 грн
1000+58.79 грн
2500+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTB RS1G260MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g260mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.54 грн
10+132.37 грн
100+90.93 грн
500+68.72 грн
1000+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g260mntb-e.pdf RS1G260MNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTB RS1G260MNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g260mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.