RS1G260MNTB Rohm Semiconductor
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 141+ | 86.68 грн |
| 500+ | 71.01 грн |
| 1000+ | 66.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1G260MNTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V.
Інші пропозиції RS1G260MNTB за ціною від 58.20 грн до 207.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1G260MNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RS1G260MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RS1G260MNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RS1G260MNTB SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
RS1G260MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |