Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1G300GNTB
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB Rohm Semiconductor

rs1g300gntb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1G300GNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RS1G300GNTB за ціною від 62.43 грн до 218.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1G300GNTB RS1G300GNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g300gntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTB RS1G300GNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g300gntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+84.81 грн
151+81.02 грн
250+77.78 грн
500+72.29 грн
1000+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTB RS1G300GNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g300gntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+136.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTB RS1G300GNTB Виробник : ROHM Semiconductor rs1g300gntb-e.pdf MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.41 грн
10+139.49 грн
100+86.32 грн
500+71.44 грн
1000+68.16 грн
2500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTB RS1G300GNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1g300gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 16608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.95 грн
10+136.50 грн
100+94.02 грн
500+71.19 грн
1000+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g300gntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g300gntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.