RS1JL R3G Taiwan Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 18.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1JL R3G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE STD 600V 800MA SUB SMA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Sub SMA, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RS1JL R3G за ціною від 32.46 грн до 54.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1JL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE STD 600V 800MA SUB SMAVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
RS1JL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 600V 0.8A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |