
RS1JL R3G Taiwan Semiconductor
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
104+ | 5.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1JL R3G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE STD 600V 800MA SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції RS1JL R3G за ціною від 32.65 грн до 54.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS1JL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
RS1JL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
![]() |
RS1JL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
|
RS1JL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
RS1JL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |