RS1L120GNTB ROHM Semiconductor
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.39 грн |
| 10+ | 115.17 грн |
| 100+ | 79.96 грн |
| 250+ | 73.67 грн |
| 500+ | 67.15 грн |
| 1000+ | 57.53 грн |
| 2500+ | 54.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1L120GNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 48A; 27W; HSOP8, Case: HSOP8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 26nC, On-state resistance: 19.8mΩ, Power dissipation: 27W, Drain current: 36A, Pulsed drain current: 48A.
Інші пропозиції RS1L120GNTB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1L120GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: RS1L120GN IS LOW ON - RESISTANCE |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
RS1L120GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: RS1L120GN IS LOW ON - RESISTANCE |
товару немає в наявності |
|
| RS1L120GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 48A; 27W; HSOP8 Case: HSOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 26nC On-state resistance: 19.8mΩ Power dissipation: 27W Drain current: 36A Pulsed drain current: 48A |
товару немає в наявності |