RS1L151ATTB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.99 грн |
| 10+ | 171.55 грн |
| 100+ | 120.32 грн |
| 500+ | 93.88 грн |
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Технічний опис RS1L151ATTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0113 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm.
Інші пропозиції RS1L151ATTB1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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RS1L151ATTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 P-CH 60V 56A |
на замовлення 12200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RS1L151ATTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0113 ohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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RS1L151ATTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0113 ohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: HSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RS1L151ATTB1 |
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Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 P-CH 60V 56A
MOSFETs HSOP8 P-CH 60V 56A
на замовлення 12200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RS1L151ATTB1 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0113 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
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на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS1L151ATTB1 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0113 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
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Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0113 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
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термін постачання 21-31 дні (днів)



