RS1L151ATTB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 90.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1L151ATTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RS1L151ATTB1 за ціною від 89.94 грн до 278.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1L151ATTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: HSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 19587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS1L151ATTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -60V -56A, HSOP8, Power MOSFET |
на замовлення 24298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1L151ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 30 V |
на замовлення 9157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1L151ATTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 19587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RS1L151ATTB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |