RS1L180GNTB

RS1L180GNTB Rohm Semiconductor


rs1l180gntb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.62 грн
104+117.13 грн
250+112.43 грн
500+104.51 грн
1000+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1L180GNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RS1L180GNTB за ціною від 77.95 грн до 235.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1L180GNTB RS1L180GNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1l180gntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.62 грн
104+117.13 грн
250+112.43 грн
500+104.51 грн
1000+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB RS1L180GNTB Виробник : ROHM Semiconductor rs1l180gntb-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 18.0A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.57 грн
10+178.42 грн
100+118.78 грн
500+98.73 грн
1000+84.63 грн
2500+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1l180gntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 39W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB RS1L180GNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1l180gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB RS1L180GNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1l180gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1l180gntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 39W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.