
RS1L180GNTB Rohm Semiconductor
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 122.62 грн |
104+ | 117.13 грн |
250+ | 112.43 грн |
500+ | 104.51 грн |
1000+ | 93.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1L180GNTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RS1L180GNTB за ціною від 77.95 грн до 235.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RS1L180GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RS1L180GNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RS1L180GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 39W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
RS1L180GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-HSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
RS1L180GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-HSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
RS1L180GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 39W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |