Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1L180GNTB
RS1L180GNTB

RS1L180GNTB Rohm Semiconductor

rs1l180gntb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+124.69 грн
104+119.11 грн
250+114.33 грн
500+106.27 грн
1000+95.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1L180GNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RS1L180GNTB за ціною від 86.81 грн до 256.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1L180GNTB RS1L180GNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1l180gntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+124.69 грн
104+119.11 грн
250+114.33 грн
500+106.27 грн
1000+95.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB RS1L180GNTB Виробник : ROHM Semiconductor rs1l180gntb-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 18.0A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.29 грн
10+167.55 грн
100+109.46 грн
500+91.34 грн
1000+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB RS1L180GNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1l180gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB RS1L180GNTB Виробник : Rohm Semiconductor rs1l180gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.