RS1N110ATTB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.39 грн |
| 10+ | 139.56 грн |
| 50+ | 107.01 грн |
| 100+ | 90.58 грн |
| 500+ | 73.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1N110ATTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.
Інші пропозиції RS1N110ATTB1 за ціною від 121.44 грн до 228.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RS1N110ATTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET |
на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
RS1N110ATTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RS1N110ATTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. |
| RS1N110ATTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 226.73 грн |
| 10+ | 166.06 грн |
| 100+ | 121.44 грн |
| RS1N110ATTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 228.11 грн |
| 85+ | 167.06 грн |
| 116+ | 122.16 грн |
| RS1N110ATTB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET
MOSFETs Pch -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RS1N110ATTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS1N110ATTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS1N110ATTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)