RS1N110ATTB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.33 грн |
| 10+ | 125.24 грн |
| 100+ | 86.61 грн |
| 500+ | 68.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1N110ATTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RS1N110ATTB1 за ціною від 62.53 грн до 230.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1N110ATTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET |
на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RS1N110ATTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RS1N110ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
RS1N110ATTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
RS1N110ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
RS1N110ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |