Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1N110ATTB1
RS1N110ATTB1

RS1N110ATTB1 Rohm Semiconductor

rs1n110attb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+215.13 грн
10+134.47 грн
100+92.96 грн
500+70.61 грн
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1N110ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RS1N110ATTB1 за ціною від 63.51 грн до 234.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
RS1N110ATTB1 RS1N110ATTB1 ROHM Semiconductor rs1n110attb1-e.pdf MOSFETs Pch -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.51 грн
10+144.49 грн
100+86.98 грн
500+70.41 грн
1000+68.27 грн
2500+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1 RS1N110ATTB1 ROHM 4197364.pdf Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.37 грн
10+152.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1 RS1N110ATTB1 Rohm Semiconductor rs1n110attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1 RS1N110ATTB1 ROHM 4197364.pdf Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1 rs1n110attb1-e.pdf
RS1N110ATTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+225.51 грн
10+144.49 грн
100+86.98 грн
500+70.41 грн
1000+68.27 грн
2500+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1 4197364.pdf
RS1N110ATTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+234.37 грн
10+152.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1 rs1n110attb1-e.pdf
RS1N110ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1 4197364.pdf
RS1N110ATTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.