Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1P600BHTB1
RS1P600BHTB1

RS1P600BHTB1 Rohm Semiconductor

rs1p600bhtb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.72 грн
10+176.50 грн
100+126.84 грн
500+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1P600BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V.

Інші пропозиції RS1P600BHTB1 за ціною від 90.66 грн до 297.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS1P600BHTB1 RS1P600BHTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs1p600bhtb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 100V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.21 грн
10+191.00 грн
100+119.61 грн
500+106.66 грн
1000+100.57 грн
2500+92.95 грн
5000+90.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BHTB1 RS1P600BHTB1 Виробник : ROHM rs1p600bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+297.42 грн
10+206.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BHTB1 RS1P600BHTB1 Виробник : ROHM rs1p600bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BHTB1 RS1P600BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1p600bhtb1-e.pdf Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.