Технічний опис RS2B-E3/5BT Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції RS2B-E3/5BT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
RS2B-E3/5BT | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 100 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM |
на замовлення 2599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RS2B-E3/5BT |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 100 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM
Rectifiers 100 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



