RS2B-E3/5BT Vishay General Semiconductor
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.68 грн |
13+ | 24.88 грн |
100+ | 15.09 грн |
500+ | 11.82 грн |
1000+ | 9.55 грн |
3200+ | 9.15 грн |
9600+ | 7.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS2B-E3/5BT Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції RS2B-E3/5BT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RS2B-E3/5BT | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1.5A 150ns 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
||
RS2B-E3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товар відсутній |
||
RS2B-E3/5BT | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM |
товар відсутній |