RS3B V6G Taiwan Semiconductor
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 48.87 грн |
| 12+ | 29.61 грн |
| 100+ | 16.83 грн |
| 500+ | 12.41 грн |
| 1000+ | 10.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS3B V6G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Інші пропозиції RS3B V6G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3B V6G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 150ns, 3A, 100V, Fast Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |
||
 |
RS3B V6G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |