RS3E075ATTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.79 грн |
| 5000+ | 24.91 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS3E075ATTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP-J, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RS3E075ATTB за ціною від 21.52 грн до 123.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS3E075ATTB | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP-J Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V |
на замовлення 11173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RS3E075ATTB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -30V -7.5A Middle Power |
на замовлення 7098 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RS3E075ATTB | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RS3E075ATTB | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 184 шт В кошику од. на суму грн. |
| RS3E075ATTB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 11173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.21 грн |
| 10+ | 60.90 грн |
| 100+ | 46.69 грн |
| 500+ | 34.64 грн |
| 1000+ | 27.71 грн |
| RS3E075ATTB |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V -7.5A Middle Power
MOSFETs Pch -30V -7.5A Middle Power
на замовлення 7098 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.33 грн |
| 10+ | 48.19 грн |
| 100+ | 37.24 грн |
| 500+ | 29.04 грн |
| 1000+ | 28.29 грн |
| 2500+ | 22.72 грн |
| 5000+ | 21.52 грн |
| RS3E075ATTB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 123.45 грн |
| RS3E075ATTB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




