RS3E130ATTB1

RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor


rs3e130attb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3730 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3730 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RS3E130ATTB1 за ціною від 58.93 грн до 206.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS3E130ATTB1 RS3E130ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs3e130attb-e.pdf Description: PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3730 pF @ 15 V
на замовлення 7261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.04 грн
10+115.49 грн
100+91.92 грн
500+72.99 грн
1000+61.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E130ATTB1 RS3E130ATTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs3e130attb-e.pdf MOSFETs SOP8 P CHAN 30V
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.85 грн
10+136.21 грн
100+83.13 грн
500+66.65 грн
1000+61.65 грн
2500+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.