Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS3E135BNGZETB
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor

rs3e135bngzetb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RS3E135BNGZETB за ціною від 35.19 грн до 133.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Виробник : Rohm Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
254+50.28 грн
265+48.27 грн
500+46.52 грн
1000+43.40 грн
2500+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 254
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Виробник : Rohm Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
254+50.28 грн
265+48.27 грн
500+46.52 грн
1000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 254
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Виробник : Rohm Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.15 грн
10+79.96 грн
100+53.39 грн
500+39.41 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Виробник : ROHM Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf MOSFETs Nch 30V 13.5A Si MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.18 грн
10+83.47 грн
25+65.66 грн
100+48.65 грн
250+45.82 грн
500+38.42 грн
1000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.