Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS3E135BNGZETB
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor

rs3e135bngzetb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції RS3E135BNGZETB за ціною від 32.72 грн до 119.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.73 грн
265+53.50 грн
500+51.57 грн
1000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.73 грн
265+53.50 грн
500+51.57 грн
1000+48.11 грн
2500+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.34 грн
10+72.76 грн
100+48.58 грн
500+35.86 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf MOSFETs Nch 30V 13.5A Si MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E135BNGZETB rs3e135bngzetb-e.pdf
RS3E135BNGZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
254+55.73 грн
265+53.50 грн
500+51.57 грн
1000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E135BNGZETB rs3e135bngzetb-e.pdf
RS3E135BNGZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
254+55.73 грн
265+53.50 грн
500+51.57 грн
1000+48.11 грн
2500+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E135BNGZETB rs3e135bngzetb-e.pdf
RS3E135BNGZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.34 грн
10+72.76 грн
100+48.58 грн
500+35.86 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E135BNGZETB rs3e135bngzetb-e.pdf
RS3E135BNGZETB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 30V 13.5A Si MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.