RS3E180ATTB1 Rohm Semiconductor


rs3e180attb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS3E180ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS3E180ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0041 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 18, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції RS3E180ATTB1 за ціною від 83.46 грн до 216.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS3E180ATTB1 RS3E180ATTB1 Rohm Semiconductor rs3e180attb1-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.97 грн
10+147.60 грн
100+102.83 грн
500+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E180ATTB1 RS3E180ATTB1 ROHM Semiconductor rs3e180attb1-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -18.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E180ATTB1 rs3e180attb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.97 грн
10+147.60 грн
100+102.83 грн
500+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E180ATTB1 rs3e180attb1-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -18.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.