RS3G-E3/9AT Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.66 грн |
| 10+ | 33.01 грн |
| 100+ | 22.64 грн |
| 500+ | 17.35 грн |
| 1000+ | 15.68 грн |
| 3500+ | 12.96 грн |
| 7000+ | 11.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS3G-E3/9AT Vishay General Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard.
Інші пропозиції RS3G-E3/9AT за ціною від 17.08 грн до 51.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS3G-E3/9AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 3415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|