RS3G160ATTB1

RS3G160ATTB1 Rohm Semiconductor


rs3g160attb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS3G160ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS3G160ATTB1 за ціною від 72.01 грн до 228.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs3g160attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+114.89 грн
118+103.99 грн
2500+87.68 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs3g160attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+114.89 грн
118+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs3g160attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+149.56 грн
85+143.87 грн
100+138.98 грн
250+129.95 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs3g160attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+155.93 грн
85+144.95 грн
100+133.97 грн
250+117.18 грн
500+108.05 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs3g160attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+168.78 грн
78+156.58 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : ROHM rs3g160attb1-e.pdf Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs3g160attb1-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 17779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.28 грн
10+153.13 грн
25+121.39 грн
100+100.05 грн
250+97.85 грн
500+82.40 грн
1000+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs3g160attb1-e.pdf Description: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
на замовлення 8072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.40 грн
10+132.12 грн
100+102.21 грн
500+77.82 грн
1000+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs3g160attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : ROHM rs3g160attb1-e.pdf Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs3g160attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G160ATTB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs3g160attb1-e.pdf RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.