RS3G160ATTB1 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 5000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 107.12 грн |
| 500+ | 81.52 грн |
| 1000+ | 73.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS3G160ATTB1 ROHM
Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 5000 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.
Інші пропозиції RS3G160ATTB1 за ціною від 61.92 грн до 215.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS3G160ATTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) |
на замовлення 7244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RS3G160ATTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RS3G160ATTB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 7244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 200.54 грн |
| 10+ | 132.58 грн |
| 100+ | 85.60 грн |
| 500+ | 73.18 грн |
| 2500+ | 61.92 грн |
| RS3G160ATTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Description: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 215.13 грн |
| 10+ | 134.62 грн |
| 100+ | 93.40 грн |
| 500+ | 74.38 грн |