RS3L110ATTB1

RS3L110ATTB1 Rohm Semiconductor


rs3l110attb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS3L110ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS3L110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.0101 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS3L110ATTB1 за ціною від 71.84 грн до 228.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 Виробник : ROHM rs3l110attb1-e.pdf Description: ROHM - RS3L110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.0101 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.49 грн
500+96.33 грн
1000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 Виробник : ROHM rs3l110attb1-e.pdf Description: ROHM - RS3L110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.0101 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.53 грн
50+155.60 грн
100+123.49 грн
500+96.33 грн
1000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs3l110attb1-e.pdf Description: PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 30 V
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.03 грн
10+146.93 грн
100+101.97 грн
500+77.64 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs3l110attb1-e.pdf MOSFETs Pch -60V -11A Power MOSFET
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.61 грн
10+153.61 грн
100+91.00 грн
500+76.33 грн
1000+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L110ATTB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs3l110attb1-e.pdf RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.