RS3L110ATTB1 Rohm Semiconductor


rs3l110attb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS3L110ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RS3L110ATTB1 за ціною від 68.41 грн до 215.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 Rohm Semiconductor rs3l110attb1-e.pdf Description: PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 30 V
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+143.74 грн
100+99.75 грн
500+75.95 грн
1000+70.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 ROHM Semiconductor rs3l110attb1-e.pdf MOSFETs Pch -60V -11A Power MOSFET
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+144.49 грн
100+85.60 грн
500+71.80 грн
1000+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L110ATTB1 rs3l110attb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 30 V
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.59 грн
10+143.74 грн
100+99.75 грн
500+75.95 грн
1000+70.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L110ATTB1 rs3l110attb1-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -60V -11A Power MOSFET
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.04 грн
10+144.49 грн
100+85.60 грн
500+71.80 грн
1000+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.