RS4P063BPHZGTCB ROHM

Description: ROHM - RS4P063BPHZGTCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6300 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 384W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EcoMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300ohm.