Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6G100BGTB1
RS6G100BGTB1

RS6G100BGTB1 Rohm Semiconductor

rs6g100bgtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.48 грн
10000+58.91 грн
15000+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6G100BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS6G100BGTB1 за ціною від 51.34 грн до 208.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6G100BGTB1 RS6G100BGTB1 Rohm Semiconductor rs6g100bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+119.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 RS6G100BGTB1 Rohm Semiconductor rs6g100bgtb1-e.pdf Description: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.35 грн
10+108.13 грн
100+73.92 грн
500+55.63 грн
1000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 RS6G100BGTB1 Rohm Semiconductor rs6g100bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.38 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor rs6g100bgtb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 40V 100A N CHAN
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 RS6G100BGTB1 ROHM rs6g100bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 RS6G100BGTB1 Rohm Semiconductor rs6g100bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 RS6G100BGTB1 ROHM rs6g100bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 rs6g100bgtb1-e.pdf
RS6G100BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+119.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 rs6g100bgtb1-e.pdf
RS6G100BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.35 грн
10+108.13 грн
100+73.92 грн
500+55.63 грн
1000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 rs6g100bgtb1-e.pdf
RS6G100BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+208.38 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 rs6g100bgtb1-e.pdf
RS6G100BGTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 40V 100A N CHAN
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 rs6g100bgtb1-e.pdf
RS6G100BGTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 rs6g100bgtb1-e.pdf
RS6G100BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1 rs6g100bgtb1-e.pdf
RS6G100BGTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.