Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6G120BGTB1
RS6G120BGTB1

RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor

rs6g120bgtb1-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 210A
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.80 грн
10+184.18 грн
100+120.81 грн
500+110.45 грн
1000+104.24 грн
2500+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RS6G120BGTB1 за ціною від 110.87 грн до 331.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6G120BGTB1 RS6G120BGTB1 Rohm Semiconductor rs6g120bgtb1-e.pdf Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.44 грн
10+193.32 грн
100+136.61 грн
500+110.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1 RS6G120BGTB1 ROHM rs6g120bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.82 грн
10+207.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1 RS6G120BGTB1 ROHM rs6g120bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1 rs6g120bgtb1-e.pdf
RS6G120BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+304.44 грн
10+193.32 грн
100+136.61 грн
500+110.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1 rs6g120bgtb1-e.pdf
RS6G120BGTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+331.82 грн
10+207.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1 rs6g120bgtb1-e.pdf
RS6G120BGTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.