RS6G120BHTB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 86.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS6G120BHTB1 Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V.
Інші пропозиції RS6G120BHTB1 за ціною від 80.50 грн до 351.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RS6G120BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RS6G120BHTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 120A |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RS6G120BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RS6G120BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RS6G120BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| RS6G120BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 275.14 грн |
| 10+ | 169.69 грн |
| 25+ | 144.79 грн |
| 100+ | 109.47 грн |
| 250+ | 96.51 грн |
| 500+ | 88.53 грн |
| 1000+ | 80.50 грн |
| RS6G120BHTB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 120A
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 120A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 285.88 грн |
| 10+ | 183.82 грн |
| 100+ | 116.87 грн |
| 500+ | 98.02 грн |
| 1000+ | 90.48 грн |
| 2500+ | 86.71 грн |
| RS6G120BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 328.81 грн |
| RS6G120BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 351.07 грн |
| 86+ | 171.26 грн |
| 95+ | 155.35 грн |
| 116+ | 122.67 грн |
| 200+ | 106.27 грн |
| 500+ | 101.70 грн |
| RS6G120BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)