Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6G120BHTB1
RS6G120BHTB1

RS6G120BHTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS6G120BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+88.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6G120BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RS6G120BHTB1 за ціною від 82.44 грн до 292.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS6G120BHTB1 RS6G120BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6g120bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+273.30 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1 RS6G120BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS6G120BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.75 грн
10+173.77 грн
25+148.27 грн
100+112.10 грн
250+98.83 грн
500+90.65 грн
1000+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1 RS6G120BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6g120bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+291.81 грн
86+142.34 грн
95+129.13 грн
116+101.97 грн
200+88.33 грн
500+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1 RS6G120BHTB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RS6G120BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs HSOP8 N CHAN 40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.46 грн
10+163.62 грн
100+114.42 грн
250+101.63 грн
500+93.35 грн
1000+85.82 грн
2500+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1 RS6G120BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6g120bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.