RS6G120BHTB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS6G120BHTB1 Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-HSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RS6G120BHTB1 за ціною від 78.45 грн до 338.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RS6G120BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RS6G120BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RS6G120BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RS6G120BHTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 N CHAN 40V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
RS6G120BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| RS6G120BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 268.12 грн |
| 10+ | 165.36 грн |
| 25+ | 141.09 грн |
| 100+ | 106.67 грн |
| 250+ | 94.04 грн |
| 500+ | 86.27 грн |
| 1000+ | 78.45 грн |
| RS6G120BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 316.81 грн |
| RS6G120BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 338.27 грн |
| 86+ | 165.01 грн |
| 95+ | 149.69 грн |
| 116+ | 118.20 грн |
| 200+ | 102.40 грн |
| 500+ | 97.99 грн |
| RS6G120BHTB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N CHAN 40V
MOSFETs HSOP8 N CHAN 40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RS6G120BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)