RS6G120CGTB1 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 300A, HSOP8, Power MOSFET
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Технічний опис RS6G120CGTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RS6G120CGTB1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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RS6G120CGTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RS6G120CGTB1 |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)