Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6G120CHTB1
RS6G120CHTB1

RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor

rs6g120chtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+111.26 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції RS6G120CHTB1 за ціною від 115.03 грн до 150.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor rs6g120chtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor rs6g120chtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.54 грн
100+143.81 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 ROHM Semiconductor MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 ROHM 4461466.pdf Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 ROHM 4461466.pdf Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 rs6g120chtb1-e.pdf
RS6G120CHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 rs6g120chtb1-e.pdf
RS6G120CHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+150.54 грн
100+143.81 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1
RS6G120CHTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 4461466.pdf
RS6G120CHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 4461466.pdf
RS6G120CHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.