Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6G120CHTB1
RS6G120CHTB1

RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor

rs6g120chtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+112.25 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 128 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 166W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm.

Інші пропозиції RS6G120CHTB1 за ціною від 84.29 грн до 281.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor rs6g120chtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+116.06 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor rs6g120chtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.88 грн
100+145.09 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS6G120CH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.78 грн
10+159.15 грн
50+122.78 грн
100+104.24 грн
500+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RS6G120CH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+281.33 грн
10+139.92 грн
100+110.67 грн
500+90.15 грн
2500+84.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 ROHM 4461466.pdf Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 ROHM 4461466.pdf Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 rs6g120chtb1-e.pdf
RS6G120CHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+116.06 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 rs6g120chtb1-e.pdf
RS6G120CHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+151.88 грн
100+145.09 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 datasheet?p=RS6G120CH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS6G120CHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.78 грн
10+159.15 грн
50+122.78 грн
100+104.24 грн
500+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 datasheet?p=RS6G120CH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS6G120CHTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.33 грн
10+139.92 грн
100+110.67 грн
500+90.15 грн
2500+84.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 4461466.pdf
RS6G120CHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1 4461466.pdf
RS6G120CHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.