Технічний опис RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 166W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm.
Інші пропозиції RS6G120CHTB1 за ціною від 87.00 грн до 258.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6G120CHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RS6G120CHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RS6G120CHTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RS6G120CHTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RS6G120CHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RS6G120CHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. |
| RS6G120CHTB1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 123+ | 114.78 грн |
| RS6G120CHTB1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 150.21 грн |
| 100+ | 143.49 грн |
| RS6G120CHTB1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
Description: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.71 грн |
| 10+ | 162.89 грн |
| 50+ | 125.66 грн |
| 100+ | 106.69 грн |
| 500+ | 87.00 грн |
| RS6G120CHTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RS6G120CHTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS6G120CHTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





