RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 128+ | 95.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції RS6G120CHTB1 за ціною від 98.76 грн до 230.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RS6G120CHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RS6G120CHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RS6G120CHTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RS6G120CHTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|