Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6L090BGTB1
RS6L090BGTB1

RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor

rs6l090bgtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+70.92 грн
10000+64.81 грн
15000+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 73W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.

Інші пропозиції RS6L090BGTB1 за ціною від 70.58 грн до 215.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.63 грн
131+108.55 грн
250+104.20 грн
500+96.85 грн
1000+86.75 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.41 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+134.80 грн
50+103.24 грн
100+87.33 грн
500+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 N-CH 60V 90A
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 ROHM rs6l090bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 ROHM rs6l090bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 rs6l090bgtb1-e.pdf
RS6L090BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+113.63 грн
131+108.55 грн
250+104.20 грн
500+96.85 грн
1000+86.75 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 rs6l090bgtb1-e.pdf
RS6L090BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 rs6l090bgtb1-e.pdf
RS6L090BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+191.41 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 rs6l090bgtb1-e.pdf
RS6L090BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.55 грн
10+134.80 грн
50+103.24 грн
100+87.33 грн
500+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 rs6l090bgtb1-e.pdf
RS6L090BGTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N-CH 60V 90A
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 rs6l090bgtb1-e.pdf
RS6L090BGTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 rs6l090bgtb1-e.pdf
RS6L090BGTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.