Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6L090BGTB1
RS6L090BGTB1

RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor

rs6l090bgtb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.03 грн
10000+55.77 грн
15000+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS6L090BGTB1 за ціною від 66.83 грн до 172.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Виробник : ROHM rs6l090bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.92 грн
500+75.15 грн
1000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
125+97.79 грн
131+93.41 грн
250+89.67 грн
500+83.35 грн
1000+74.65 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+129.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.84 грн
10+108.33 грн
100+77.47 грн
500+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+164.72 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Виробник : ROHM rs6l090bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+166.31 грн
10+124.32 грн
100+88.92 грн
500+75.15 грн
1000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf MOSFETs HS088 N CHAN 60V
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.10 грн
10+126.60 грн
100+78.53 грн
500+71.85 грн
1000+69.13 грн
2500+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.