Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6L120BGTB1
RS6L120BGTB1

RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor

rs6l120bgtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+88.28 грн
15000+80.67 грн
22500+75.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції RS6L120BGTB1 за ціною від 96.45 грн до 404.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.31 грн
5000+98.36 грн
10000+96.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+218.67 грн
100+175.70 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.60 грн
10+208.92 грн
50+162.62 грн
100+138.60 грн
500+118.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 N-CH 60V 120A
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+352.10 грн
10+178.71 грн
100+141.14 грн
500+121.62 грн
2500+113.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+404.38 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 ROHM rs6l120bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 ROHM rs6l120bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 rs6l120bgtb1-e.pdf
RS6L120BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+99.31 грн
5000+98.36 грн
10000+96.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 rs6l120bgtb1-e.pdf
RS6L120BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+218.67 грн
100+175.70 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 rs6l120bgtb1-e.pdf
RS6L120BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.60 грн
10+208.92 грн
50+162.62 грн
100+138.60 грн
500+118.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 rs6l120bgtb1-e.pdf
RS6L120BGTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N-CH 60V 120A
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+352.10 грн
10+178.71 грн
100+141.14 грн
500+121.62 грн
2500+113.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 rs6l120bgtb1-e.pdf
RS6L120BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+404.38 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 rs6l120bgtb1-e.pdf
RS6L120BGTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 rs6l120bgtb1-e.pdf
RS6L120BGTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.