Продукція > ROHM > RS6L120BGTB1
RS6L120BGTB1

RS6L120BGTB1 ROHM

rs6l120bgtb1-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+142.56 грн
500+112.18 грн
1000+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6L120BGTB1 ROHM

Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS6L120BGTB1 за ціною від 95.96 грн до 323.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 ROHM rs6l120bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.02 грн
10+201.35 грн
100+142.56 грн
500+112.18 грн
1000+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.10 грн
10+196.24 грн
100+138.69 грн
500+111.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 N-CH 60V 120A
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+323.77 грн
10+202.44 грн
100+129.78 грн
500+111.84 грн
2500+104.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 rs6l120bgtb1-e.pdf
RS6L120BGTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+302.02 грн
10+201.35 грн
100+142.56 грн
500+112.18 грн
1000+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 rs6l120bgtb1-e.pdf
RS6L120BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.10 грн
10+196.24 грн
100+138.69 грн
500+111.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1 rs6l120bgtb1-e.pdf
RS6L120BGTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N-CH 60V 120A
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+323.77 грн
10+202.44 грн
100+129.78 грн
500+111.84 грн
2500+104.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.