RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 73.52 грн |
| 15000+ | 67.18 грн |
| 22500+ | 62.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.0021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RS6L120BGTB1 за ціною від 80.32 грн до 369.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RS6L120BGTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RS6L120BGTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.0021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS6L120BGTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS6L120BGTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.0021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RS6L120BGTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS6L120BGTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RS6L120BGTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 N CHAN 60V |
на замовлення 3195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS6L120BGTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |