Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6L120BHTB1
RS6L120BHTB1

RS6L120BHTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS6L120BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6L120BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RS6L120BHTB1 за ціною від 78.82 грн до 294.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS6L120BHTB1 RS6L120BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS6L120BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.13 грн
10+166.05 грн
25+141.71 грн
100+107.15 грн
250+94.47 грн
500+86.67 грн
1000+78.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1 RS6L120BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6l120bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+272.64 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1 RS6L120BHTB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RS6L120BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs HSOP8 N CHAN 60V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.12 грн
10+160.36 грн
100+112.29 грн
250+99.08 грн
500+91.00 грн
1000+84.40 грн
2500+82.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1 RS6L120BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6l120bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+294.15 грн
85+144.03 грн
94+130.84 грн
115+102.70 грн
200+89.21 грн
500+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1 RS6L120BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6l120bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.