RS6L122CGTB1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 196.35 грн |
| 10+ | 122.16 грн |
| 50+ | 93.21 грн |
| 100+ | 78.73 грн |
| 500+ | 63.38 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS6L122CGTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6L122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 0.0029 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm.
Інші пропозиції RS6L122CGTB1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RS6L122CGTB1 | ROHM |
 Description: ROHM - RS6L122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 0.0029 ohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RS6L122CGTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6L122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 0.0029 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
Description: ROHM - RS6L122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 0.0029 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)