Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6P060BHTB1
RS6P060BHTB1

RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor

rs6p060bhtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.48 грн
10000+58.91 грн
15000+54.82 грн
20000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS6P060BHTB1 за ціною від 66.66 грн до 262.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6P060BHTB1 RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor rs6p060bhtb1-e.pdf Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 50 V
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.55 грн
10+131.93 грн
100+91.15 грн
500+69.19 грн
1000+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor rs6p060bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.47 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor rs6p060bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+262.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor rs6p060bhtb1-e.pdf MOSFETs HS0P8 100V 60A N CHAN
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 RS6P060BHTB1 ROHM rs6p060bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor rs6p060bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 RS6P060BHTB1 ROHM rs6p060bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 rs6p060bhtb1-e.pdf
RS6P060BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 50 V
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.55 грн
10+131.93 грн
100+91.15 грн
500+69.19 грн
1000+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 rs6p060bhtb1-e.pdf
RS6P060BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+256.47 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 rs6p060bhtb1-e.pdf
RS6P060BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+262.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 rs6p060bhtb1-e.pdf
RS6P060BHTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HS0P8 100V 60A N CHAN
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 rs6p060bhtb1-e.pdf
RS6P060BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 rs6p060bhtb1-e.pdf
RS6P060BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1 rs6p060bhtb1-e.pdf
RS6P060BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.