RS6P100BHTB1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 151.18 грн |
| 100+ | 146.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS6P100BHTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RS6P100BHTB1 за ціною від 98.97 грн до 282.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 100V 100A |
на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
RS6P100BHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RS6P100BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 170.02 грн |
| RS6P100BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 237.48 грн |
| 67+ | 212.53 грн |
| 100+ | 180.03 грн |
| 250+ | 163.95 грн |
| 500+ | 132.01 грн |
| RS6P100BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 237.48 грн |
| RS6P100BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V
Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 282.84 грн |
| 10+ | 178.64 грн |
| 100+ | 125.61 грн |
| 500+ | 98.97 грн |
| RS6P100BHTB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 100V 100A
MOSFETs HSOP8 100V 100A
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RS6P100BHTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS6P100BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS6P100BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS6P100BHTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)