RS6P100BHTB1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 97.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS6P100BHTB1 ROHM
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RS6P100BHTB1 за ціною від 97.15 грн до 341.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS6P100BHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RS6P100BHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V |
на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RS6P100BHTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 100V 100A |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |