Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6R035BHTB1
RS6R035BHTB1

RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor

rs6r035bhtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.19 грн
15000+48.61 грн
22500+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS6R035BHTB1 за ціною від 69.66 грн до 259.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+133.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+188.50 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf Description: NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+127.97 грн
100+88.54 грн
500+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf MOSFETs HSMT8 150V 35A N CHAN
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 ROHM rs6r035bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 ROHM rs6r035bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 rs6r035bhtb1-e.pdf
RS6R035BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+133.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 rs6r035bhtb1-e.pdf
RS6R035BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+188.50 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 rs6r035bhtb1-e.pdf
RS6R035BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.58 грн
10+127.97 грн
100+88.54 грн
500+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 rs6r035bhtb1-e.pdf
RS6R035BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 rs6r035bhtb1-e.pdf
RS6R035BHTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 150V 35A N CHAN
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 rs6r035bhtb1-e.pdf
RS6R035BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 rs6r035bhtb1-e.pdf
RS6R035BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 rs6r035bhtb1-e.pdf
RS6R035BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.