Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6R060BHTB1
RS6R060BHTB1

RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor

rs6r060bhtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RS6R060BHTB1 за ціною від 103.79 грн до 353.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6R060BHTB1 RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r060bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+218.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r060bhtb1-e.pdf Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.32 грн
10+173.87 грн
100+122.42 грн
500+103.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r060bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+353.59 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor rs6r060bhtb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 RS6R060BHTB1 ROHM rs6r060bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r060bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 RS6R060BHTB1 ROHM rs6r060bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 rs6r060bhtb1-e.pdf
RS6R060BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+218.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 rs6r060bhtb1-e.pdf
RS6R060BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.32 грн
10+173.87 грн
100+122.42 грн
500+103.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 rs6r060bhtb1-e.pdf
RS6R060BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+353.59 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 rs6r060bhtb1-e.pdf
RS6R060BHTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 rs6r060bhtb1-e.pdf
RS6R060BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 rs6r060bhtb1-e.pdf
RS6R060BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 rs6r060bhtb1-e.pdf
RS6R060BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.