RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 74.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RS6R060BHTB1 за ціною від 101.65 грн до 355.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V |
на замовлення 4742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET |
на замовлення 3866 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RS6R060BHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
RS6R060BHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RS6R060BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 219.74 грн |
| RS6R060BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 273.05 грн |
| 10+ | 173.06 грн |
| 100+ | 121.85 грн |
| 500+ | 103.31 грн |
| RS6R060BHTB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET
MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 322.51 грн |
| 10+ | 209.42 грн |
| 100+ | 127.98 грн |
| 500+ | 108.97 грн |
| 1000+ | 105.31 грн |
| 2500+ | 101.65 грн |
| RS6R060BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 355.95 грн |
| RS6R060BHTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS6R060BHTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS6R060BHTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)