RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor


rs6r060bhtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-HSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RS6R060BHTB1 за ціною від 95.96 грн до 304.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS6R060BHTB1 RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r060bhtb1-e.pdf Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.93 грн
10+174.25 грн
100+122.69 грн
500+104.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor rs6r060bhtb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.44 грн
10+191.33 грн
100+120.81 грн
500+102.86 грн
1000+99.41 грн
2500+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 rs6r060bhtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.93 грн
10+174.25 грн
100+122.69 грн
500+104.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1 rs6r060bhtb1-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+304.44 грн
10+191.33 грн
100+120.81 грн
500+102.86 грн
1000+99.41 грн
2500+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.