RS7E200BGTB1

RS7E200BGTB1 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN5060 N CHAN 30V
на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.80 грн
10+264.21 грн
25+204.72 грн
100+178.18 грн
250+163.78 грн
500+153.92 грн
1000+142.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS7E200BGTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: DFN5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції RS7E200BGTB1 за ціною від 279.84 грн до 421.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS7E200BGTB1 RS7E200BGTB1 Виробник : ROHM Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+421.89 грн
10+279.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS7E200BGTB1 RS7E200BGTB1 Виробник : ROHM Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.