на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 408.72 грн |
| 10+ | 267.08 грн |
| 100+ | 185.01 грн |
| 500+ | 164.54 грн |
| 1000+ | 161.39 грн |
| 2500+ | 136.98 грн |
| 5000+ | 135.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS7E200BGTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: DFN5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції RS7E200BGTB1 за ціною від 290.55 грн до 438.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS7E200BGTB1 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: DFN5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
RS7E200BGTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |