Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS7N160BHTB1
RS7N160BHTB1

RS7N160BHTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS7N160BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+340.18 грн
10+216.25 грн
50+168.71 грн
100+143.96 грн
500+125.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS7N160BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 160W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

Інші пропозиції RS7N160BHTB1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS7N160BHTB1 RS7N160BHTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RS7N160BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs DFN5060 N-CH 80V 160A
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N160BHTB1 RS7N160BHTB1 ROHM 4461468.pdf Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N160BHTB1 RS7N160BHTB1 ROHM 4461468.pdf Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N160BHTB1 datasheet?p=RS7N160BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS7N160BHTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN5060 N-CH 80V 160A
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N160BHTB1 4461468.pdf
RS7N160BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N160BHTB1 4461468.pdf
RS7N160BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.