Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS7N160BHTB1

RS7N160BHTB1 ROHM Semiconductor

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN5060 N-CH 80V 160A

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RS7N160BHTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 160W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

Інші пропозиції RS7N160BHTB1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	RS7N160BHTB1	ROHM	Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm	на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RS7N160BHTB1	ROHM	Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm	на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн.

RS7N160BHTB1

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RS7N160BHTB1

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 90 шт

В кошику од. на суму грн.