Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS7N200BHTB1

RS7N200BHTB1 ROHM Semiconductor

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN5060 N-CH 80V 230A

на замовлення 2049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RS7N200BHTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: DFN5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції RS7N200BHTB1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	RS7N200BHTB1	ROHM	Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: DFN5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RS7N200BHTB1	ROHM	Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm	на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

RS7N200BHTB1

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RS7N200BHTB1

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.