Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS7N200BHTB1
RS7N200BHTB1

RS7N200BHTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS7N200BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 80V 230A, DFN5060-8S, POWER
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+390.45 грн
10+249.87 грн
50+195.82 грн
100+167.44 грн
500+149.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS7N200BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 180W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції RS7N200BHTB1 за ціною від 131.95 грн до 391.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS7N200BHTB1 RS7N200BHTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RS7N200BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs DFN5060 N-CH 80V 230A
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+391.44 грн
10+257.52 грн
100+180.95 грн
500+160.60 грн
1000+155.32 грн
2500+131.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N200BHTB1 RS7N200BHTB1 ROHM datasheet?p=RS7N200BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N200BHTB1 RS7N200BHTB1 ROHM datasheet?p=RS7N200BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N200BHTB1 datasheet?p=RS7N200BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS7N200BHTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN5060 N-CH 80V 230A
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+391.44 грн
10+257.52 грн
100+180.95 грн
500+160.60 грн
1000+155.32 грн
2500+131.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N200BHTB1 datasheet?p=RS7N200BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS7N200BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N200BHTB1 datasheet?p=RS7N200BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS7N200BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.