Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSC002P03T316
RSC002P03T316

RSC002P03T316 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSC002P03T316 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSC002P03T316 за ціною від 3.59 грн до 24.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor rsc002p03t316-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.29 грн
2014+7.04 грн
2500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor rsc002p03t316-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1324+10.71 грн
1369+10.36 грн
2500+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 1324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 ROHM Semiconductor datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Pch -30V -250mA SOT-23
на замовлення 11423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.24 грн
17+19.37 грн
100+8.97 грн
500+5.94 грн
1000+4.00 грн
3000+3.66 грн
6000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
16+19.44 грн
100+10.30 грн
500+6.36 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor rsc002p03t316-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 rsc002p03t316-e.pdf
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1946+7.29 грн
2014+7.04 грн
2500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 rsc002p03t316-e.pdf
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1324+10.71 грн
1369+10.36 грн
2500+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 1324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSC002P03T316
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -30V -250mA SOT-23
на замовлення 11423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+24.24 грн
17+19.37 грн
100+8.97 грн
500+5.94 грн
1000+4.00 грн
3000+3.66 грн
6000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.85 грн
16+19.44 грн
100+10.30 грн
500+6.36 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 rsc002p03t316-e.pdf
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.