Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSC002P03T316
RSC002P03T316

RSC002P03T316 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSC002P03T316 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSC002P03T316 за ціною від 4.31 грн до 24.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor rsc002p03t316-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.27 грн
2014+7.02 грн
2500+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor rsc002p03-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1832+7.72 грн
2050+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 1832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor rsc002p03-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1571+9.00 грн
1721+8.22 грн
2006+7.05 грн
2113+6.46 грн
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 1571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor rsc002p03t316-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1324+10.68 грн
1369+10.33 грн
2500+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 1324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
16+19.40 грн
100+10.28 грн
500+6.34 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 ROHM Semiconductor datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Pch -30V -250mA SOT-23
на замовлення 11423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 ROHM rsc002p03t316-e.pdf Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor rsc002p03t316-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 ROHM rsc002p03t316-e.pdf Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 rsc002p03t316-e.pdf
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1946+7.27 грн
2014+7.02 грн
2500+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 rsc002p03-e.pdf
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1832+7.72 грн
2050+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 1832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 rsc002p03-e.pdf
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1571+9.00 грн
1721+8.22 грн
2006+7.05 грн
2113+6.46 грн
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 1571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 rsc002p03t316-e.pdf
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1324+10.68 грн
1369+10.33 грн
2500+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 1324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.80 грн
16+19.40 грн
100+10.28 грн
500+6.34 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSC002P03T316
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -30V -250mA SOT-23
на замовлення 11423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 rsc002p03t316-e.pdf
RSC002P03T316
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 rsc002p03t316-e.pdf
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 rsc002p03t316-e.pdf
RSC002P03T316
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.