Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSD050N10TL
RSD050N10TL

RSD050N10TL Rohm Semiconductor

rsd050n10.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 18115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.20 грн
276+44.35 грн
500+42.75 грн
1000+39.88 грн
2500+35.83 грн
5000+33.48 грн
10000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSD050N10TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RSD050N10TL за ціною від 29.35 грн до 86.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSD050N10TL RSD050N10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd050n10.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+58.09 грн
249+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
RSD050N10TL RSD050N10TL Виробник : ROHM Semiconductor rsd050n10.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT 755-RD3P050SNTL1
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.80 грн
10+70.81 грн
100+47.84 грн
500+40.60 грн
1000+33.05 грн
2500+29.43 грн
5000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSD050N10TL rsd050n10.pdf
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSD050N10TL RSD050N10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd050n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD050N10TL RSD050N10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd050n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.